蒋尚义博士到访微纳电子学研究院,余诗孟博士

作者: 航空航天  发布:2019-12-15

王阳元院士首先代表信息学院和微纳研究院对蒋尚义的到来表示热烈欢迎,双方就微纳电子产业现状与未来展开深入讨论。随后,蒋尚义一行参观了研究院新器件及集成技术研究所的科研展示长廊,黎明研究员、刘力锋教授、刘军华副教授陪同讲解,并有针对性地介绍了该所的学术成果和亮点;又在研究院常务副院长张大成教授陪同下,参观了工艺实验室。

信息学院院长、微纳电子学研究院院长黄如院士出席报告会;微纳电子学研究院刘力锋教授、刘军华副教授,高能效计算与应用中心罗国杰特聘研究员,以及20余名学生到场,与报告人进行了深入、热烈的讨论。

蒋尚义博士分别在台湾大学、普林斯顿大学和斯坦福大学获学士、硕士和博士学位。毕业后,曾在德州仪器和惠普实验室从事研发工作。1997年加入台积电后,历任研发副总裁、执行副总裁、共同首席运营官和董事长顾问等职;打造了一支世界一流的半导体研发团队,牵头完成0.25/0.18/0.15/0.13微米和90/65/40/28/20/16纳米等关键节点的研发。2016年底,出任中芯国际集成电路制造有限公司独立董事。在半导体工业界的四十多年中,参与CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs激光、LED、电子束光刻、硅基太阳能电池等项目,致力于推进半导体技术和半导体工业的发展。凭借斐然的研发成果和卓越的领导能力,入选美国《商业周刊》“亚洲之星”最重要的50位创新者,获台湾杰出科学与技术人才奖、潘文渊文教基金会ERSO奖、IEEE Ernst Weber管理奖。2002年,当选IEEE终身会士;2015年,当选台湾工业技术研究院院士。

余诗孟主要从事新型纳米器件与电路、类脑计算、硬件安全等领域的研究。他在报告中系统介绍了课题组在基于忆阻突触器件的新一代类脑计算技术方面的最新研究进展:首先是利用忆阻器交叉阵列作为卷积神经网络中卷积核的研究及其在图像识别方面的应用;然后比较基于忆阻器与基于静态随机存储器的电子突触在面积、功耗、延时等方面的优劣,系统分析忆阻器电子突触的线性度、良率、循环寿命等对线上、线下自主学习性能的影响和所面临的挑战,进一步提出利用数字型电子突触实现类脑计算的替代思路;接下来是一种包含器件、电路、算法等模块的完整类脑计算仿真平台;最后展示了一种新的基于NbO2阈值开关器件的振荡式神经元,以及有望简化未来类脑计算硬件中的神经元电路。

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